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芯片封装-传统的芯片封装制造工艺

发布日期:2025-01-20 访问量:

  点击蓝字关注我们芯片由晶圆切割成单独的颗粒后,再经过芯片封装过程即可单独应用。

  1、减薄(Back Grind):

  芯片依工艺要求,需有一定之厚度emc易倍体育官方入口。应用研磨的方法,达到减薄的目标。研磨的第一步为粗磨,第二步为细磨,目的为消减芯片粗磨中生成的应力破坏层(一般厚度为1~2μm左右)。

  2、贴膜(Wafer Mount)

  减薄之后,要在芯片背面贴上配合划片使用的蓝膜,才可开始划片。图1、芯片贴膜后装在金属外框中的照片

  3、划片(Wafer Saw)

  划片时需控制移动划片刀的速度及划片刀的转速emc易倍。不同芯片的厚度及蓝膜的黏性都需要有不同的配合的划片参数,以减少划片时在芯片上产生的崩碎现象。图2、划片工艺示意图

芯片封装-传统的芯片封装制造工艺

  一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40μm左右。若用雷射光取代切割刀片可将切割宽度减小到20μm。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式,也建议使用雷射光切割。图3、刀片划片工作时的照片

  一般划片时移动的速度为50mm/s。

  一般划片时的刀片旋转的速率为38 000r/min。

  划片完成后,还需要用洁净水冲洗芯片表面,保证芯片上打线键合区不会有硅粉等残留物,如此才能保证后序打线键合工艺的成功良品率。

  4、贴片(Die Attach)

  将芯片颗粒由划片后的蓝膜上分别取下,用胶水(epoxy)与支架(leadframe,引线筐架)贴合在一起,以便于下一个打线键合的工艺。图4、未粘贴芯片颗粒的支架照片图5、银胶贴片工艺示意图 图6、贴片工艺完成后芯片颗粒在支架上的照片

  一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5μm。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹,保证要有90%的周边溢出痕迹。

  其他的常用贴片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代银胶(见图7)。图7、使用共金贴片工艺的示意图图8、共金贴片工艺的工艺过程

  无锡祺芯半导体科技有限公司是专业从事芯片行业智能化生产设备的研发、生产和销售的高科技企业。成立于2020年,座落在无锡惠山经济技术开发区。公司获得无锡惠山区先锋人才,无锡市太湖人才等多项荣誉,是无锡市半导体协会理事单位。公司研发团队核心人员,均拥有20年以上半导体设备从业经验,对封装工艺及相关装备产业化拥有丰富研发经验,拥有多项国家级技术发明、实用新型专利和软件著作权。并与清华大学、中国科学院等国内知名院校长期进行产学研合作。

  公司自主研发的MGP智能芯片封装系统、AM全自动芯片封装系统、TF单元组合式芯片自动切筋成型系统等多款芯片智能化生产设备,均已获得市场认可和客户的一致好评。

  无锡祺芯半导体科技有限公司,秉承创新、高效、品质、诚信的价值观,立足无锡,以做中国自主品牌的芯片智能设备为使命,助力芯片产业,打造智慧工厂。立志成为芯片封测设备行业的领航者!

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标签: 芯片封装   芯片   划片  
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